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参数资料
| 型号： | DMN2019UTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2019UTS-13DIDKR |
DMN2019UTS
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
D
TSSOP-8
Dim
Min Max
Typ
a
0.09
?
?
See Detail C
A
?
1.20
?
E1
E
A1
A2
b
c
D
0.05 0.15 ?
0.825 1.025 0.925
?
0.19 0.30
?
0.09 0.20
2.90 3.10 3.025
e
b
c
Gauge plane
e
E
?
?
?
?
0.65
6.40
A
D
A2
A1
a
L
Detail C
E1 4.30 4.50 4.425
L 0.45 0.75 0.60
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
X
X
0.45
C3
DMN2019UTS
Document number: DS35556 Rev. 2 - 2
C2
G
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
C3
G
1.78
7.72
0.65
4.16
0.20
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2020LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2020LSN-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2023LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2027LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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