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参数资料
| 型号： | DMN2230U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 188pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2230U-7DIDKR |
DMN2230U
10
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
8
6
4
2
0
V DS = 10V
I D = 11.6 A
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
0
1 2 3 4
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 8 Gate Charge
5
100
R DS(on)
10
1
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 10μ s
0.1
0.01
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
DUT on 1 * MRP Board
V GS = 12V
P W = 1ms
P W = 100μs
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
Package Outline Dimensions
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
H
B C
C
D
F
G
H
J
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
K
J
F
G
D
K1
L
M
K
K1
L
M
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
α
0° 8° -
All Dimensions in mm
DMN2230U
Document number: DS31180 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2300U-7 | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 |
| DMN2300UFB4-7B | MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 |
| DMN2300UFD-7 | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN |
| DMN2400UFB-7 | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
| DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2250UFB-7B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH 20V 1.35A X1DFN10063 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 20V 1.35A DFN1006-3 |
| DMN2300U | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 ESD Protected Gate 2kV |
| DMN2300U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2300UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2300UFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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