- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录407 > DMN6040SVT-7 (Diodes Inc)MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN6040SVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SVT-7DIDKR |
DMN6040SVT
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
60
±20
Units
V
V
Continuous Drain Current (Note 5) V GS = 10V
Continuous Drain Current (Note 5) V GS = 5V
Maximum Body Diode Forward Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (10 μ s pulse, duty cycle = 1%)
Avalanche Current (Note 6) L = 0.1mH
Avalanche Energy (Note 6) L = 0.1mH
Steady
State
t<10s
Steady
State
t<10s
T A = 25°C
T A = 70°C
T A = 25°C
T A = 70°C
T A = 25°C
T A = 70°C
T A = 25°C
T A = 70°C
I D
I D
I D
I D
I S
I DM
I AR
E AR
5.0
4.0
6.3
5.0
4.3
3.4
5.4
4.3
2.1
30
14.2
10
A
A
A
A
A
A
A
mJ
Thermal Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Units
Total Power Dissipation (Note 4)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 4)
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
T A = 25°C
T A = 70°C
Steady state
t<10s
T A = 25°C
T A = 70°C
Steady state
t<10s
P D
R θ JA
P D
R θ JA
R θ JC
T J, T STG
1.2
0.75
106
69
1.8
1.1
68
44
20
-55 to +150
W
°C/W
°C/W
W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
100
100
R θ JA(t) (t) * R θ JA
80
Single Pulse
R θ JA = 72 ° C/W
=r
10
R DS(on)
Limited
P W = 10 μs
T J A = P * R θ JA(t)
-T
60
DC
40
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
20
0.1
P W = 1ms
P W = 100μs
0
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
0.01
0.1
1
10
100
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 1 Single Pulse Maximum Power Dissipation
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 SOA, Safe Operation Area
DMN6040SVT
Document number: DS35562 Rev. 10 - 2
2 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6066SSD-13 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8 |
| DMN6066SSS-13 | MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8 |
| DMN6068LK3-13 | MOSFET N-CH 60V 6A DPAK |
| DMN6068SE-13 | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 |
| DMN62D0LFB-7B | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN6066SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6068LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。