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参数资料
| 型号： | DMN6040SVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SVT-7DIDKR |
DMN6040SVT
0.10
4.0
3.5
0.08
3.0
0.06
V GS = 4.5V
I D = 500mA
2.5
2.0
I D = 1mA
0.04
V GS = 2.5 V
I D = 200mA
1.5
1.0
I D = 250μA
0.02
0.5
0
- 50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 11 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
16
C iss
12
T A = 25°C
8
C oss
4
f = 1MHz
C rss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
5 10 15 20 25
30
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 12 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS = 30V
I D = 4.3 A
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Junction Capacitance
0
5 10 15 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate Charge
25
DMN6040SVT
Document number: DS35562 Rev. 10 - 2
5 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN6066SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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