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参数资料
| 型号： | DMN6040SVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SVT-7DIDKR |
DMN6040SVT
Package Outline Dimensions
D
TSOT26
Dim Min Max Typ
e1
A
A1
A2
D
— 1.00 —
0.01 0.10 —
0.84 0.90 —
— — 2.90
E1
E
E
E1
— — 2.80
— — 1.60
c
L2
b
0.30 0.45 —
e
4x θ 1
L
θ
c
e
e1
0.12 0.20 —
— — 0.95
— — 1.90
6x b
L
L2
0.30 0.50 —
— — 0.25
A
A2
θ
θ 1
0° 8° 4°
4° 12° —
A1
Suggested Pad Layout
C
C
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Y1
DMN6040SVT
Document number: DS35562 Rev. 10 - 2
Y (6x)
X (6x)
6 of 7
www.diodes.com
C
X
Y
Y1
0.950
0.700
1.000
3.199
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6066SSD-13 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8 |
| DMN6066SSS-13 | MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8 |
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| DMN62D0LFB-7B | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN6066SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6068LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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