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参数资料
| 型号： | DMN6068LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 502pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN6068LK3-13DIDKR |
DMN6068LK3
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
60
?
?
?
?
?
?
0.5
± 100
V
μA
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 60V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 12)
Forward Transconductance (Notes 12 & 13)
Diode Forward Voltage (Note 12)
Reverse recovery time (Note 13)
Reverse recovery charge (Note 13)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
1.0
?
?
?
?
?
?
19.7
0.98
145
929
3.0
0.068
0.100
?
1.15
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 12A
V GS = 4.5V, I D = 6A
V DS = 15V, I D = 12A
I S = 12A, V GS = 0V
I S = 12A, di/dt= 100A/μs
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 13)
Input Capacitance
C iss
?
502
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
C oss
C rss
Q g
Q g
?
?
?
?
45.7
27.1
5.55
10.3
?
?
?
?
pF
pF
nC
nC
V DS = 30V, V GS = 0V
f= 1MHz
V GS = 4.5V
V DS = 30V
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time (Note 14)
Q gs
Q gd
t D(on)
?
?
?
1.6
3.5
3.6
?
?
?
nC
nC
ns
V GS = 10V
I D = 12A
Turn-On Rise Time (Note 14)
Turn-Off Delay Time (Note 14)
Turn-Off Fall Time (Note 14)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
10.8
11.9
8.7
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = 30V, V GS = 10V
I D = 12A, R G ? 6.0 ?
Notes:
12. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
13. For design aid only, not subject to production testing.
14. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
DMN6068LK3
Document Number DS32057 Rev 4 - 2
4 of 8
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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