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参数资料
| 型号： | DMN6068SE-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 502pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN6068SE-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN6068SE
Thermal Characteristics
R DS(on)
10 Limited
2.0
1.6
1
DC
1s
1.2
100m
Single Pulse
100ms
10ms
1ms
0.8
0.4
T amb =25°C
10m
100m
100μs
1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
Derating Curve
70
60
50
T amb =25°C
100
Single Pulse
T amb =25°C
40
30
D=0.5
10
20
10
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
0
100μ
1m
D=0.1
10m 100m 1
Pulse Width (s)
10
100
1k
1
100μ
1m
10m 100m 1 10
Pulse Width (s)
100
1k
Transient Thermal Impedance
Pulse Power Dissipation
DMN6068SE
Document Number DS32033 Rev. 4 - 2
3 of 9
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN62D0LFB-7B | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
| DMN62D0SFD-7 | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN |
| DMN65D8LDW-7 | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN62D0LFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN62D0LFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN62D0LFB-7B | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMN62D0SFD-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DMN62D1SFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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