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参数资料
| 型号： | DMN65D8LDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 115mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 22pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN65D8LDW-7DIDKR |
DMN65D8LDW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim Min
Max
Typ
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
0.25
1.30
2.10
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
0.425
H
H
1.80
2.20
2.15
K
M
J
K
L
0
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
0.05
1.00
0.30
J
D
F
L
M
??
0.10 0.22 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
X
C2
0.65
DMN65D8LDW
Document number: DS35500 Rev. 6 - 2
5 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| DMP1022UFDE-7 | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN65D8LFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN65D8LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN65D8LW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LDW-7 | 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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