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参数资料
| 型号： | DMN65D8LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN65D8LFB-7BDIDKR |
DMN65D8LFB
0.6
V GS =10V
V GS =3.5V
1
V DS = 5.0V
T A =125 ° C
T A =150 ° C
0.5
0.4
V GS =5.0V
V GS =4.0V
V GS =4.5V
V GS =3.0V
T A =25 ° C
T A =-55 ° C
0.3
0.2
0.1
V GS =2.5V
0.1
T A =85 ° C
0.0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0.01
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
2.4
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
4.5
4
3.5
2.2
2
1.8
V GS =10V,
I D =115mA
3
2.5
2
1.5
1
0.5
V GS =5V
V GS =10V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS =5V,
I D =115mA
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
0.6
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
Drain Current and Gate Charge
2
1.8
1.6
50
45
40
f=1MHz
1.4
I D =1mA
35
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I D =250μA
30
25
20
15
10
5
C ISS
C OSS
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
5 10 15 20
C RSS
25
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Fig. 6 Typical Junction Capacitance
DMN65D8LFB
Document number: DS35449 Rev. 2 - 2
3 of 5
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN65D8LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN66D0LDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LDW-7 | 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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