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参数资料
| 型号： | DMN65D8LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN65D8LFB-7BDIDKR |
DMN65D8LFB
1
T A =125°C
T A =150°C
T A =25°C
0.1
T A =85°C
T A =-55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
Package Outline Dimensions
A
X1-DFN1006-3
Dim
Min
Max Typ
A1
D
b1
A
A1
b1
b2
D
E
e
0.47
0
0.10
0.45
0.95
0.55
?
0.53 0.50
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
0.675 0.60
? 0.35
E
b2
e
L1
0.20
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
Dimensions
Value (in mm)
X 1
Z
G1
1.1
0.3
X
G2
G2
X
X1
Y
0.2
0.7
0.25
0.4
Y
G1
C
0.7
Z
DMN65D8LFB
Document number: DS35449 Rev. 2 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| DMP1022UFDE-7 | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| DMP1096UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN65D8LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN65D8LW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LDW-7 | 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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