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参数资料
| 型号： | DMP2039UFDE4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.2nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2039UFDE4-7DIDKR |
DMP2039UFDE4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
20
18
16
14
12
10
8
6
4
0.2
2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
f = 1MHz
C iss
C oss
100,000
10,000
1,000
100
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
C rss
10
T A = 25°C
0
5 10 15
20
1
0
5 10 15 20 25
8
6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
100
P W = 10 μ s
R DS(on)
Limited
10
DC
4
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
2
0.1 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = -8V
Single Pulse
P W = 1ms
P W = 100μs
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
DUT on 1 * MRP Board
0.01
0.01 0.1 1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMP2039UFDE4
Document number: DS35675 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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