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参数资料
| 型号： | DMP2039UFDE4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.2nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2039UFDE4-7DIDKR |
DMP2039UFDE4
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 178°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
A1
A3
D
e
Dim
A
A1
A3
X2-DFN2020-6
Min Max Typ
? 0.40 ?
0 0.05 0.03
? ?
0.13
L
b
D
0.25
1.95
0.35 0.30
2.05 2.00
D2
0.85 1.05 0.95
D2
E
E2
1.95 2.05 2.00
1.40 1.60 1.50
E
E2
e
? ?
0.65
L
0.25 0.35 0.30
L1
L1
1.35 1.45 1.40
Z
? ?
All Dimensions in mm
0.20
Z(3X)
e
b(6X)
DMP2039UFDE4
Document number: DS35675 Rev. 3 - 2
5 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2066LDM-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
| DMP2066LSD-13 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC |
| DMP2066LSN-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
| DMP2066LSS-13 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| DMP2066UFDE-7 | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2039UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066LDM-7 | 功能描述:MOSFET P-channel 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066LSD-13 | 功能描述:MOSFET 2xP-Channel 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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