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参数资料
| 型号： | DS1258W |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP40 |
| 封装： | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | DS1258W |
DS1258W
022598 4/9
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
–0.3V to +4.6V
0
°
C to 70
°
C
–40
°
C to +70
°
C
260
°
C for 10 seconds
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
PARAMETER
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
)
UNITS
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
Power Supply Voltage
V
CC
V
IH
V
IL
3.0
3.3
3.6
V
Logic 1
2.2
V
CC
0.4
V
Logic 0
0.0
V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
) (V
CC
=3.3V
±
0.3V)
MAX
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
NOTES
Input Leakage Current
I
IL
–2.0
+2.0
A
I/O Leakage Current
CE > V
IH
< V
CC
I
IO
–1.0
+1.0
A
Output Current @ 2.2V
I
OH
–1.0
mA
Output Current @ 0.4V
I
OL
2.0
mA
Standby Current
CEU, CEL=2.2V
I
CCS1
100
450
μ
A
Standby Current
CEU, CEL=V
CC
– 0.2V
I
CCS2
60
250
μ
A
Operating Current
I
CCO1
100
mA
Write Protection Voltage
V
TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
C
I/O
20
25
pF
Input/Output Capacitance
5
10
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| DS1260 | Smart Battery(智能电池) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258W-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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