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参数资料
| 型号： | DS1258W |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP40 |
| 封装： | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | DS1258W |
DS1258W
022598 5/9
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
) (V
CC
=3.3V
±
0.3V)
PARAMETER
SYMBOL
DS1258W–150
TYPE
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
150
ns
Access Time
t
ACC
150
ns
OE to Output Valid
t
OE
70
ns
CE to Output Valid
t
CO
150
ns
OE or CE to Output Valid
t
COE
5
ns
5
Output High Z from Deselection
t
OD
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
t
OH
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
150
ns
Write Pulse Width
t
WP
100
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
5
20
ns
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
60
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
20
ns
ns
12
13
READ CYCLE
t
RC
t
ACC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
V
IH
t
OD
t
OD
V
IH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
t
COE
t
COE
OUTPUT
DATA VALID
D
OUT
OE
ADDRESSES
V
IH
V
IH
t
OE
V
IL
V
IL
CEU, CEL
t
CO
SEE NOTE 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1258W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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