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参数资料
| 型号： | DS1258W |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP40 |
| 封装： | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | DS1258W |
DS1258W
022598 7/9
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
V
CC
2.7V
t
F
t
PD
t
R
t
REC
BACKUP CURRENT-
SUPPLIED FROM
LITHIUM BATTERY
CEV, CEL,
WE
V
TP
t
DR
SLEWS WITH
V
CC
t
PU
V
IH
POWER–DOWN/POWER–UP TIMING
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
V
Fail Detect to CE and WE
Inactive
t
PD
1.5
μ
s
11
V
CC
slew from V
TP
to 0V
t
F
150
μ
s
V
CC
slew from 0V to V
TP
t
R
150
μ
s
V
CC
Valid to CE and WE
Inactive
t
PU
2
ms
V
Valid to End of Write
Protection
t
REC
125
ms
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Expected Data Retention Time
t
DR
10
years
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery backup mode.
NOTES:
1. WE is high for a read cycle.
2. OE = V
IH
or V
IL
. If OE = V
IH
during write cycle, the output buffers remain in a high impedance state.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1258W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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