参数资料
型号: DS1345YG-70-IND
厂商: Maxim Integrated Products, Inc.
英文描述: 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述: 1024k非易失SRAM与电池监视器
文件页数: 10/12页
文件大小: 229K
代理商: DS1345YG-70-IND
DS1345Y/AB
10 of 12
DS1345Y/AB NONVOLATILE SRAM, 34-PIN POWERCAP MODULE
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
0.920
0.925
0.930
B
0.980
0.985
0.990
C
-
-
0.080
D
0.052
0.055
0.058
E
0.048
0.050
0.052
F
0.015
0.020
0.025
G
0.020
0.025
0.030
相关PDF资料
PDF描述
DS1350AB 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor(带电池监控的 4096K非易失性SRAM)
DS1350Y 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor(带电池监控的4096K非易失性SRAM)
DS1350W 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor(带电池监控的3.3V 4096K非易失性SRAM)
DS1371 2-Wire, 32-Bit Binary Counter Watchdog Clock
DS1371U 2-Wire, 32-Bit Binary Counter Watchdog Clock
相关代理商/技术参数
参数描述
DS1345YL-100 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1345YL-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1345YL-70 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1345YL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1345YL-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor