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参数资料
| 型号： | DS1345YG-70-IND |
| 厂商： | Maxim Integrated Products, Inc. |
| 英文描述： | 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| 中文描述： | 1024k非易失SRAM与电池监视器 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | DS1345YG-70-IND |
DS1345Y/AB
7 of 12
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTES 11 AND 14
BATTERY WARNING DETECTION
SEE NOTE 14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1345YL-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1345YL-70 | 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1345YL-70IND | 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1345YL-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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