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参数资料
| 型号： | DSP56F826BU80E |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 26/56页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 80MHZ 64KB FLASH 100LQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | 56F8xx |
| 核心处理器： | 56800 |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，SCI，SPI，SSI |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 46 |
| 程序存储器容量： | 67KB（33.5K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 4.5K x 16 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.25 V ~ 2.75 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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56F826 Technical Data, Rev. 14
32
Freescale Semiconductor
Input Data Hold to RD Deasserted
tDRD
0—
ns
RD Assertion Width
Wait states = 0
Wait states > 0
tRD
19
(T*WS) + 19
—
ns
Address Valid to Input Data Valid
Wait states = 0
Wait states > 0
tAD
—
1
(T*WS) + 1
ns
Address Valid to RD Asserted
tARDA
-4.4
—
ns
RD Asserted to Input Data Valid
Wait states = 0
Wait states > 0
tRDD
—
2.4
(T*WS) + 2.4
ns
WR Deasserted to RD Asserted
tWRRD
6.8
—
ns
RD Deasserted to RD Asserted
tRDRD
0—
ns
WR Deasserted to WR Asserted
tWRWR
14.1
—
ns
RD Deasserted to WR Asserted
tRDWR
12.8
—
ns
1. Timing is both wait state- and frequency-dependent. In the formulas listed, WS = the number of wait states and
T = Clock Period. For 80MHz operation, T = 12.5ns.
2. Parameters listed are guaranteed by design.
To calculate the required access time for an external memory for any frequency < 80Mhz, use this formula:
Top = Clock period @ desired operating frequency
WS = Number of wait states
Memory Access Time = (Top*WS) + (Top- 11.5)
Table 3-10 External Bus Asynchronous Timing1, 2 (Continued)
Operating Conditions: VSSIO = VSS = VSSA = 0V, VDDA = VDDIO = 3.0–3.6V, VDD = 2.25–2.75V, TA = –40° to +85°C, CL ≤ 50pF, fop = 80MHz
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
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PDF描述 |
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参数描述 |
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