- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8315-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8315-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 875pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8315
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--30
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--3.5A
ID=--3.5A, VGS=--10V
--1.2
5
8.4
19
--2.6
25
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--2A, VGS=--4.5V
ID=--2A, VGS=--4V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--7.5A
IS=--7.5A, VGS=0V
31
35
875
200
150
8.1
33
92
60
18
2.1
4.7
--0.82
44
49
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --15V
ID= --3.5A
RL=4.3 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
ECH8315
Ordering Information
Device
ECH8315-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1387-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8410-TL-H | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8320 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| ECH8401-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 10A ECH8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。