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参数资料
| 型号： | ECH8315-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 875pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8315
.0V
--7.5
--7.0
--6.5
--6.0
ID -- VDS
--3
--10
--9
--8
VDS= --10V
ID -- VGS
--5.5
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--7
--6
--5
--4
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
VGS= --2.5V
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14298
Ta=25 ° C
70
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14299
70
ID= --2A
60
2.0A
V, I D
= --
4.0
= --2
VGS
V, I D
= --4
--3.5A
0.0V, D
= --1
60
50
40
30
20
10
--3.5A
50
40
30
20
10
VGS
VGS
.5
= --
.0A
I =
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT14300
VDS= --10V
2
--10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14301
VGS=0V
10
7
5
7
5
3
2
Ta
° C
3
2
=
--2
5 ° C
75
--1.0
7
5
° C
1.0
7
5
3
2
0.1
25
3
2
--0.1
7
5
3
2
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
3
2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
IT14302
VDD= --15V
VGS= --10V
3
2
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT14303
f=1MHz
3
3
2
10
7
tr
td(on)
2
100
Coss
C rs s
5
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
7
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT14304
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14305
No. A1387-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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