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参数资料
| 型号： | ECH8315-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 875pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8315
mm
Outline Drawing
ECH8315-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No. A1387-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8410-TL-H | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8320 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| ECH8401-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 10A ECH8 |
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