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参数资料
| 型号： | FCD9N60NTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 92.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FCD9N60NTMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
60
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
50
150 C
-55 C
25 C
10
1
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
10
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.4
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
0.1
4
5
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6 7 8
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
9
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.9
0.8
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
0.7
10
o
25 C
0.6
0.5
V GS = 10V
o
0.4
V GS = 20V
1
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.3
0
10
2 0
o
30
0.5
1.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
50000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C oss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 150V
V DS = 300V
1000
C iss
6
V DS = 480V
100
10
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
4
2
1
0.1
2. f = 1MHz
1 10 100
600
0
0
*Note: I D = 4.5A
5 10 15
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD9N60NTM Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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