- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录413 > FCD9N60NTM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FCD9N60NTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 92.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FCD9N60NTMDKR |
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD9N60NTM Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
| FCH22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| FCH25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
| FCH35N60 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
| FCH47N60_F133 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCDC7102 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FCDM082B1437/02.5 | 制造商:Baumer Electric Ag 功能描述: |
| FCDM082I1437/02.5 | 制造商:Baumer Electric Ag 功能描述: |
| FCDM082J1437/02.5 | 制造商:Baumer Electric Ag 功能描述: |
| FCDSAFCU-1000 | 制造商:DigitHead Inc 功能描述:CABLE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。