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参数资料
| 型号： | FCD9N60NTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 92.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FCD9N60NTMDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 4.5A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
50
20 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
10
100 μ s
8
1. T C = 25 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
1ms
10ms
DC
6
4
2
2. T J = 150 C
o
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 2
10
10
10
10
1. Z θ JC (t) = 1.35 C/W Max.
10
10
10
0.01
0.005
0.01
Single pulse
- 5
- 4
-3
- 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
- 1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD9N60NTM Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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