型号: | FDB13AN06A0 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm |
中文描述: | 62 A, 60 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封装: | TO-263AB, 3 PIN |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 300K |
代理商: | FDB13AN06A0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDP13AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
FDP14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
FDPF14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
FDP15N65_0610 | 650V N-Channel MOSFET |
FDP15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDB13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB14AN06L_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 60A, 14.6mW |
FDB14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |