- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375778 > FDB13AN06A0 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDB13AN06A0 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm |
| 中文描述： | 62 A, 60 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | FDB13AN06A0 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 Rev. A1
F
PSPICE Thermal Model
REV 23 March 2002
FDB13AN06A0T
CTHERM1 TH 6 9.7e-4
CTHERM2 6 5 6.2e-3
CTHERM3 5 4 4.6e-3
CTHERM4 4 3 4.9e-3
CTHERM5 3 2 8e-3
CTHERM6 2 TL 4.2e-2
RTHERM1 TH 6 5.24e-2
RTHERM2 6 5 10.08e-2
RTHERM3 5 4 4.28e-1
RTHERM4 4 3 1.8e-1
RTHERM5 3 2 1.9e-1
RTHERM6 2 TL 2.1e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB14AN06A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =9.7e-4
ctherm.ctherm2 6 5 =6.2e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =4.6e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =4.9e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =4.2e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =5.24e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =10.08e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =4.28e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.8e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =1.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =2.1e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP13AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| FDP14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDPF14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65_0610 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06L_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 60A, 14.6mW |
| FDB14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。