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参数资料
| 型号： | FDC6320C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC6320CDKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
0.5
0.4
0.3
V GS = 4.5V
4.0
3.5
3.0
2.7
2.5
1.4
1.2
1
V GS = 2.0V
2.5
2.7
0.2
2.0
3.0
3.5
0.1
1.5
0.8
4.0
4.5
0
0
0.5
V
DS
1 1.5 2
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
3
0.6
0
0.1
0.2 0.3
I D , DRAIN CURRENT (A)
0.4
0.5
Figure 1. On-Region Characteristics .
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
1.8
1.6
I D = 0.2A
V GS = 2.7 V
15
12
I D = 0.2A
1.4
9
25°C
125°C
1.2
6
1
3
0.8
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
125
150
0
2
2.5 3 3.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
0.2
V DS = 5.0V
T = -55°C
J
25°C
0.5
0.2
V GS = 0V
125°C
0.1
T J = 125°C
0.15
25°C
0.01
0.1
0.05
0.001
-55°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
SD
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6320C.Rev C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC6320C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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