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参数资料
| 型号： | FDC6320C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC6320CDKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel (continued)
30
5
20
10
5
C iss
C oss
4
3
I D = 0.2A
V DS = 5.0V
2
3
2
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
1
1
0.1
0.5 1 2 5
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
DS
10
25
0
0
0.05
0.1
0.15 0.2 0.25
Q g , GATE CHARGE (nC)
0.3
0.35
Figure 7. Capacitance Characteristics .
0.8
5
Figure 8. Gate Charge Characteristics .
IM
ON
RD
1m
10
0m
0.5
0.2
0.1
0.05
S(
IT
)L
V GS = 2.7V
1s
DC
10
s
ms
s
4
3
2
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.02
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
1
0.01
0.5
1
2
5
10
20
40
0
0.01
0.1
1
10
100
300
V
DS
, DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDC6320C.Rev C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| FDC6327C | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC6333C | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 |
| FDC634P | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC6320C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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