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参数资料
| 型号： | FDC6320C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC6320CDKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
0.2
0.15
V GS = -5.0V
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.7
2
1.5
V GS = -2.0 V
-2.5
-2.7
0.1
-2.5
1
-3.0
-4.0
0.05
-2.0
-3.5
-4.5
0
0
1
2
3
4
0.5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
1.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics .
25
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
1.4
I D = -0.05A
V GS = -2.7V
20
T A = 25°C
125 °C
I D = -0.05A
1.2
1
0.8
15
10
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature .
-1
-V GS ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
0.5
V DS = -5V
T = -55°C
J
25°C
0.1
V GS = 0V
T J = 125°C
-0.75
125°C
25°C
-0.5
-0.25
0.01
-55°C
0
-0.5
-1
-1.5 -2 -2.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-3
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6320C.Rev C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC6320C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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