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参数资料
| 型号： | FDC6327C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A，1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6327CDKR |
July 2000
FDC6327C
Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET
General Description
Features
These N & P-Channel 2.5V specified MOSFETs are
produced using Fairchild Semiconductor's advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
to minimize on-state resistance and yet maintain low gate
charge for superior switching performance.
These devices have been designed to offer exceptional power
dissipation in a very small footprint for applications where
the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages
are impractical.
Applications
? DC/DC converter
? Load switch
? Motor driving
D2
?
?
?
?
?
?
N-Channel 2.7A, 20V. R DS(on) = 0.08 ? @ V GS = 4.5V
R DS(on) = 0.12 ? @ V GS = 2.5V
P-Channel -1.6A, -20V.R DS(on) = 0.17 ? @ V GS = -4.5V
R DS(on) = 0.25 ? @ V GS = -2.5V
Fast switching speed.
Low gate charge.
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
SuperSOT TM -6 package: small footprint (72% smaller
than SO-8); low profile (1mm thick).
D1
S1
G2
4
5
3
2
SuperSOT
TM
-6
G1
S2
6
1
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
N-Channel
20
± 8
P-Channel
-20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
2.7
-1.9
A
- Pulsed
8
-8
P D
Power Dissipation
(Note 1a)
0.96
W
(Note 1b)
(Note 1c)
0.9
0.7
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
130
60
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.327
Device
FDC6327C
Reel Size
7”
Tape Width
8mm
Quantity
3000
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC6327C, Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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