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参数资料
| 型号： | FDC6327C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A，1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6327CDKR |
Typical Characteristics: P-Channel
10
V GS = -4.5V
2.4
8
-3.5V
-3.0V
2.2
2
V GS = -2.0V
6
1.8
4
-2.5V
1.6
1.4
-2.5V
-3.0V
2
-2.0V
1.2
-3.5V
-4.0V
-4.5V
1
-1.5V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
1.5
0.5
-I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.4
1.3
1.2
1.1
1
I D = -1.9A
V GS = -4.5V
0.4
0.3
0.2
o
I D = -1A
T A = 25 C
0.9
0.8
0.7
0.1
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
10
o
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
10
T A = -55 C
25 C
125 C
T A = 125 C
8
V DS = -5V
o
o
o
1
V GS = 0V
o
25 C
-55 C
6
4
2
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
o
0
1
2
3
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC6327C, Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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