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参数资料
| 型号： | FDC6327C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A，1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6327CDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSSF
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage, Forward
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = - 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = - 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 16 V, V GS = 0 V
V DS = -16 V, V GS = 0 V
V GS = 8 V, V DS = 0 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
All
20
-20
12
-19
1
-1
100
V
mV/ ° C
μ A
nA
I GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse V GS = -8 V, V DS = 0 V
All
-100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = - 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 2.7 A
V GS = 4.5 V, I D = 2.7 A, T J = 125 ° C
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
N-Ch
0.4
-0.4
0.9
-0.9
-2.1
2.3
0.069
0.094
1.5
-1.5
0.08
0.13
V
mV/ ° C
?
V GS = 2.5 V, I D = 2.2 A
V GS = -4.5 V, I D = -1.6 A
V GS = -4.5 V, I D = -1.6 A, T J = 125 ° C
V GS = -2.5 V, I D = -1.3 A
N-Ch
P-Ch
P-Ch
P-Ch
0.093
0.141
0.203
0.205
0.12
0.17
0.27
0.25
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
N-Ch
8
A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
P-Ch
-8
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 2.7 A
N-Ch
7.7
S
Dynami c Characteristics
V DS = -5 V, I D = -1.9 A
P-Ch
4.5
C iss
Input Capacitance
N-Channel
N-Ch
325
pF
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
P-Ch
315
C oss
Output Capacitance
P-Channel
N-Ch
P-Ch
75
65
pF
C rss
Reverse Transfer Capacitance V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
N-Ch
35
pF
P-Ch
24
FDC6327C, Rev. E
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