参数资料
型号: FDC6327C
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图: MOSFET SuperSOT-6
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.7A,1.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-SSOT
包装: 标准包装
产品目录页面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDC6327CDKR
Typical Characteristics: P-Channel
5
(continued)
450
4
I D = -1.9A
V DS = -5.0V
-15V
-10V
400
350
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
300
3
2
1
250
200
150
100
0
50
0
C OSS
C RSS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate-Charge Characteristics.
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
R θ JA = 180 C/W
T A = 25 C
10
1
R DS(ON) LIMIT
DC
1s
1ms
10ms
100ms
100 μ s
5
4
3
SINGLE PULSE
o
o
2
0.1
V GS = -4.5V
R θ JA = 180 C/W
SINGLE PULSE
o
1
T A = 25 C
0.01
0.1
o
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDC6327C, Rev. E
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