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参数资料
| 型号： | FDC642P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC642PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
2000
4.0
I D = -4.0 A
1000
C iss
3.5
3.0
2.5
V DD = -5 V
V DD = -10 V
C oss
2.0
1.5
V DD = -15 V
100
C rss
1.0
0.5
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0.0
0
3
6
9
12
10
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure7. Gate Charge Characteristics
50
10
100 μ s
1000
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5 V
1 ms
100
1
10 ms
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
1s
10 s
DC
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.01
0.1
T A = 25 o C
1
10
60
1
0.5
-4 -3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
NOTES:
t 1
t 2
R θ JA = 156 C/W
SINGLE PULSE
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC642P Rev . C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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