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参数资料
| 型号： | FDD050N03B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2875pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
300
100
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
175 C
25 C
100
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
10
o
o
3.5 V
3.0 V
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
1
o
2. T C = 25 C
1
0.01
o
0.1 1
4
0.1
1
2 3 4
5
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
10
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
*Notes: T C = 25 C
175 C
9
8
7
V GS = 4.5V
o
100
o
25 C
6
5
4
V GS = 10V
10
o
*Notes:
1. V GS = 0V
3
0
50
100 150
200
250
1
0.2
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
3000
2000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C oss
C iss
*Notes:
10
8
6
V DS = 6V
V DS = 15V
V DS = 24V
1000
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
5
*Notes: I D = 50A
10 15 20 25 30
Q g , Total Gate Charge [nC]
35
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD050N03B Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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