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参数资料
| 型号： | FDD10AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD10AN06A0DKR |
SPICE Thermal Model
REV 23 July 2002
FDD10AN06A0T
CTHERM1 TH 6 3.2e-3
CTHERM2 6 5 3.3e-3
CTHERM3 5 4 3.4e-3
th
JUNCTION
CTHERM4 4 3 3.5e-3
CTHERM5 3 2 6.4e-3
CTHERM6 2 TL 1.9e-2
RTHERM1 TH 6 5.5e-4
RTHERM2 6 5 5.0e-3
RTHERM3 5 4 4.5e-2
RTHERM4 4 3 1.5e-1
RTHERM5 3 2 3.37e-1
RTHERM1
RTHERM2
6
CTHERM1
CTHERM2
RTHERM6 2 TL 3.5e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD10AN06A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =3.2e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =3.3e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =3.4e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =3.5e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =6.4e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.9e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =5.5e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =4.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =1.5e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =3.37e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
rtherm.rtherm6 2 tl =3.5e-1
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD10AN06A0 Rev. C 3
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD10AN06A0Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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