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参数资料
| 型号： | FDD10AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD10AN06A0DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD10AN06A0 2 1 3 ;
Ca 12 8 7e-10
rev July 2002
9
20
13
ESLC
21
Cb 15 14 7e-10
Cin 6 8 1.8e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 67.2
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 3.2e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.2e-9
RLgate 1 9 32
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 12
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
1 2
8
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
RSOURCE
RBREAK
17
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
DRAIN
2
SOURCE
3
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1.35e-3
Rgate 9 20 3.6
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*250),7))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2E-11 N=1.06 RS=3.3e-3 TRS1=2.4e-3 TRS2=1.1e-6
+ CJO=1.25e-9 M=5.3e-1 TT=4.2e-8 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=2.7e-1 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=4.7e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.44)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.5 KP=5.5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.6)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.25 KP=80 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.92 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=36 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9e-4 TC2=5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=2.5e-2 TC2=7.8e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=3.5e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.3e-3 TC2=-1.3e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.6e-3 TC2=1.3e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-8 VOFF=-5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5 VOFF=-8)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-1.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-2)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD10AN06A0 Rev. C 3
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD10AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD10AN06A0_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD10AN06A0_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:60V/50A N-CH MOSFET |
| FDD10AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD10AN06A0Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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