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参数资料
| 型号： | FDD10AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD10AN06A0DKR |
SABER Electrical Model
REV July 2002
template FDD10AN06A0 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2e-11,nl=1.06,rs=3.3e-3,trs1=2.4e-3,trs2=1.1e-6,cjo=1.25e-9,m=5.3e-1,tt=4.2e-8,xti=3.9)
dp..model dbreakmod = (rs=2.7e-1,trs1=1e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=4.7e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.44)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.5,kp=5.5,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.25,kp=80,is=1e-30, tox=1)
DPLCAP
RSLC2
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.92,kp=0.03,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-8,voff=-5)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-5,voff=-8)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2,voff=-1.5) 10
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.5,voff=-2)
c.ca n12 n8 = 7e-10
c.cb n15 n14 = 7e-10
c.cin n6 n8 = 1.8e-9
5
RSLC1
51
ISCL
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
GATE
9
20
13
50
11
21
MMED
+
8
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 67.2
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 3.2e-9
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
1 2
8
6
8
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
RDRAIN
16
MSTRO 17
DBREAK
MWEAK
EBREAK
18
-
7
RSOURCE
RBREAK
17
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
SOURCE
3
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 1.2e-9
CA
res.rlgate n1 n9 = 32
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 12
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=9e-4,tc2=5e-7
res.rdrain n50 n16 = 1.35e-3, tc1=2.5e-2,tc2=7.8e-5
res.rgate n9 n20 = 3.6
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=1e-3,tc2=3.5e-5
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 6e-3, tc1=1e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-5.3e-3,tc2=-1.3e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-2.6e-3,tc2=1.3e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/250))** 7))
}
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD10AN06A0 Rev. C 3
9
www.fairchildsemi.com
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| FDD10AN06A0Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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