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参数资料
| 型号： | FDD2582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 21A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD2582DKR |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 75V
1000
C ISS = C GS + C GD
8
C OSS ? C DS + C GD
6
100
C RSS = C GD
4
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 21A
I D = 7A
10
0
0.1
1 10
150
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDD2582 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD2670 | MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK |
| FDD26AN06A0_F085 | MSOFET N-CH 60V 36A DPAK-3 |
| FDD306P | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| FDD3510H | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD2582_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2612 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2670 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
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