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参数资料
| 型号： | FDD2582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 21A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD2582DKR |
SABER Electrical Model
REV July 2002
ttemplate FDD2582 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2.3e-12,rs=5.3e-3,trs1=2.2e-3,trs2=4.5e-7,cjo=8.8e-10,m=0.64,tt=3.8e-8,xti=4.2)
dp..model dbreakmod = (rs=0.4,trs1=1.4e-3,trs2=-5.0e-5)
dp..model dplcapmod = (cjo=2.75e-10,isl=10.0e-30,nl=10,m=0.67)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.76,kp=2.7,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.25,kp=30,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=3.2,kp=0.068,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-5.0,voff=-2.0)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2.0,voff=-5.0)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.4,voff=0.3)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=0.3,voff=-0.4)
c.ca n12 n8 = 4e-10
10
DPLCAP
5
RSLC1
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
c.cb n15 n14 = 4.6e-10
c.cin n6 n8 = 1.24e-9
RSLC2
51
ISCL
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
9
20
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 160.4
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
GATE
1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
i.it n8 n17 = 1
RSOURCE
RLSOURCE
l.lgate n1 n9 = 4.88e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 2.24e-9
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
S1B
S2B
RVTEMP
res.rlgate n1 n9 = 48.8
res.rldrain n2 n5 = 10
CA
13
+
CB
+
14
IT
-
19
res.rlsource n3 n7 = 22.4
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
EGS
-
6
8
EDS
-
5
8
8
RVTHRES
+
22
VBAT
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.1e-3,tc2=-1.1e-8
res.rdrain n50 n16 = 37e-3, tc1=1.0e-2,tc2=2.6e-5
res.rgate n9 n20 = 1.8
res.rslc1 n5 n51 = 1.0e-6, tc1=2.7e-3,tc2=2.0e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1.0e3
res.rsource n8 n7 = 11.9e-3, tc1=1.0e-3,tc2=1.0e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-3.9e-3,tc2=-1.7e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-3.7e-3,tc2=1.9e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/42))** 2.5))
}
}
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2582 Rev. B
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD2582_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2612 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
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