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参数资料
| 型号： | FDD4685_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2380pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
80
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -10V
V GS = -6V
V GS = -4.5V
3.0
2.6
2.2
1.8
V GS = -3V
V GS = -4V
V GS = -4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
V GS = -4V
1.4
V GS = -6V
20
1.0
V GS = -10V
0
0
1 2 3
V GS = -3V
4
0.6
0
20 40 60
80
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
I D =-8.4A
V GS = -10V
70
I D = -8.4A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
60
1.4
1.2
1.0
0.8
50
40
30
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
150
20
2
3 4 5 6 7 8 9
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
10
V GS = 0V
T J = 150 o C
60
40
20
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1
2
T J = -55 o C
3 4 5
6
0.1
0.4
0.6 0.8 1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDD4685 Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
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