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参数资料
| 型号： | FDD4685_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2380pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10
4
8
V DD = -10V
C iss
10
6
V DD = -20V
3
C oss
V DD = -30V
4
10
2
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
10
0
0
10 20 30
40
1
0.1
1 10
50
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
9
8
7
6
5
50
40
V GS = -10V
4
T J =
25 o C
30
3
2
T J = 125 o C
20
Limited by Package
V GS = -4.5V
R θ JC = 1.8 C/W
10
o
1
0.01
0.1 1 10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
300
150 – T
I = I 25
c
100
10
100us
1ms
250
200
150
100
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
-----------------------
125
T c = 25 o C
1
10ms
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
DC
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
0.1
1
LIMITED BY r DS(on)
TC = 25 O C
10
100
50
-3
-2
-1
0
1
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDD4685 Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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