参数资料
型号: FDD4685_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
标准包装: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2380pF @ 20V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
t 1
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDD4685 Rev.B
5
www.fairchildsemi.com
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