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参数资料
| 型号： | FDD5690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1110pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5690DKR |
Typical Characteristics
60
2
50
V GS = 10V
6.0V
1.8
5.0V
40
1.6
30
4.5V
1.4
V GS = 4.5V
5.0V
20
10
0
4.0V
1.2
1
0.8
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
2
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 9A
V GS = 10V
0.08
0.06
0.04
o
I D = 15A
1
T A = 25 C
0.8
0.6
0.4
0.02
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
60
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
50
V DS = 5V
o
o
10
V GS = 0V
125 C
T A = 125 C
25 C
40
o
1
o
o
-55 C
30
20
10
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDD5690, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5N50NZFTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5690 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
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