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参数资料
| 型号： | FDD5690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1110pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5690DKR |
Typical Characteristics
10
(continued)
2500
8
I D = 9A
V DS = 10V
30V
20V
2000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
2
1500
1000
500
C OSS
0
0
C RSS
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
100
10
1
R DS(ON) LIMIT
10S
1ms
10ms
100ms
1S
100 μ s
60
40
SINGLE PULSE
o
o
DC
V GS = 10V
20
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
D = 0.5
0.2
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.1
0.1
0.05
0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 96 ° C/W
0.01
0.02
P(pk)
Single Pulse
t 1
t 2
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDD5690, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5N50NZFTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5690 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
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