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参数资料
| 型号： | FDD5N53TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 530V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
20
10
150 C
25 C
-55 C
1
6.0 V
5.5 V
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.04
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
30
0.1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
70
150 C
2.5
o
25 C
2.0
1.5
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Notes:
*Note: T J = 25 C
1.0
0
3
6
9
o
12
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1000
750
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1. V GS = 0V
500
C iss
C oss
2. f = 1MHz
6
4
250
2
C rss
0
0
*Note: I D = 5A
0.1
1 10
30
0
4 8
12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
FDD5N53/FDU5N53 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6030L | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N60NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
| FDD5N60NZTM | 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6030 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDD6030BL | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6030L | 功能描述:MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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