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参数资料
| 型号： | FDD5N53TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 530V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V
DS
_
I
SD
L
D r iv e r
V
G S
R
G
S am e T ype
as DUT
? d v / d t c o n t r o lle d b y R G
V
DD
? I S D c o n t r o lle d b y p u ls e p e r io d
V GS
( D r iv e r )
G a t e P u ls e W id th
D = --------------------------
G a te P u ls e P e r io d
10V
I F M , B o d y D io d e F o r w a r d C u r r e n t
I SD
( DUT )
d i/ d t
I R M
B o d y D io d e R e v e r s e C u r r e n t
V DS
( DUT )
B o d y D io d e R e c o v e r y d v / d t
V
SD
V
DD
B o d y D io d e
F o r w a r d V o lt a g e D r o p
FDD5N53/FDU5N53 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6030L | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N60NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
| FDD5N60NZTM | 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6030 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDD6030BL | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6030L | 功能描述:MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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