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参数资料
| 型号： | FDD8451 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 990pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8451DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
4.0
50
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
3.5
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
V GS = 4.5V
V GS = 4V
3.0
2.5
VGS = 3V
V GS = 3.5V
30
2.0
20
V GS = 3.5V
1.5
V GS = 4V
V GS = 5V
10
V GS = 3V
1.0
V GS = 10V
0
0
1 2 3
4
0.5
0
10
20 30 40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
160
1.8
1.6
I D = 9A
V GS = 10V
120
I D = 10A
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
80
1.2
1.0
0.8
40
T J = 175 o C
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0
2
T J = 25 o C
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
40
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
30
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
V GS = 0V
10
1
T J = 175 o C
20
10
T J = 175 o C
T J = 25 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1E-3
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDD8451 Rev. B 2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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