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参数资料
| 型号： | FDD8451 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 990pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8451DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
3000
8
V DD = 15V
1000
C iss
6
4
2
V DD = 25V
V DD = 20V
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
C rss
0
0
4 8 12
16
10
0.1
1 10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
30
25
TJ = 25oC
20
VGS = 10V
10
TJ = 150oC
TJ = 125oC
15
10
5
VGS =4.5V
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0
o
R JC = 4.1 C/W
40 60
80
100
120
140
160 175
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
T C , CASE
TEMPERATURE ( o C )
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
100
100us
10000
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
175 – T C
I = I 25
10
LIMITED BY
1ms
1000
CURRENT AS FOLLOWS:
----------------------
150
PACKAGE
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
10ms
100
LIMITED BY r DS(on)
10
10
10
10
10
10
10
0.1
1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TC = 25 O C
10
100ms
DC
80
10
-5
SINGLE PULSE
-4 -3
-2
-1
0
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDD8451 Rev. B 2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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