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参数资料
| 型号： | FDD8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8880DKR |
PSPICE Thermal Model
REV 23 April 2004
FDD8880T
CTHERM1 TH 6 8e-4
CTHERM2 6 5 1e-3
CTHERM3 5 4 2.5e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 2.6e-3
CTHERM5 3 2 8e-3
CTHERM6 2 TL 1.5e-2
6
RTHERM1 TH 6 1.44e-1
RTHERM2 6 5 1.9e-1
RTHERM3 5 4 3.0e-1
RTHERM4 4 3 4.0e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 5.7e-1
RTHERM6 2 TL 5.8e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD8880T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =8e-4
ctherm.ctherm2 6 5 =1e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =2.5e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =2.6e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.5e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =1.44e-1
rtherm.rtherm2 6 5 =1.9e-1
rtherm.rtherm3 5 4 =3.0e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =4.0e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =5.7e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =5.8e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
FDD8880 Rev. B 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDFM2N111 | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
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| FDFMA2N028Z | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDD8882 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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